2001(8):769-772.
摘要:本文对一镜斜置三镜腔光电探测器进行理论分析及实验验证。一镜斜置三镜腔结构是一种新型高性能的光电探测器结构,斜境使滤波波腔与吸收腔之间解耦,因此这种结构的探测器可以同时获得高的量子效率、高的响应效率和窄的光谱响应线宽。本文在理论分析的基础上,利用分立光学器件对斜镜的解耦作用进行了实验验证。
2001(8):773-776.
摘要:本文设计和实现了具有PCI总线峰值带宽传输能力的光互连网络接口卡。采用可编程门阵列实现硬件路由和同步流水线传输以减小数据包在网络中的通信延迟。为扩展网络规模,采用波分复用技术实现了双波长环网。通过无源光学器件实现双波长信号和合波和分束,通过探测器选择接收不同波长的光信号以实现波长路由。该网络结构扩展为多波长环网。
2001(8):777-780.
摘要:本文直接在麦氏方程、弱波导结构与电磁场边界连续基础上 ,推导出光纤光栅反射光谱特性新型2× 2矩阵算法 ;与耦合模理论相比 ,本方法为周期性光纤光栅的研究提供了简便、直观的计算模型。应用该模型计算了高斯型包络函数光纤光栅的光谱响应 ,并分析了其放缩特性
2001(8):781-784.
摘要:用反应沉积法(RDE)制备了一系列铁钴硅化物好Fe(1-x)CoxSi2薄膜,样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射(RBS)确定。本文研究了样品的光学性质:室温下在0.26-4.80eV的光子能量范围内,用椭圆偏振光谱仪测量了样品的复介电函数谱。实验发现,Fe(1-x)CoxSi2薄膜的介电函数强烈地依赖于薄膜的状态:a)对于β的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱在红外低能区呈现出干涉峰,对应于半导体态;b)对于同时存在β相和∑相的混合相Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出半导体和金属的混合态特征;c)对于∑的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出明显的金属态特征。XRD实验结果表明,样品介电函数谱的差异来源于薄膜中不同的Fe-Si相,而与样品中掺Co量的多少并无一定关系。
2001(8):785-787,798.
摘要:本文首次用干涉法对反射式Mach-Zehnder干涉仪的性能做了较详细的研究。推导出了该干涉仪的能量传输矩阵,分析了两个耦合器的分光比和两臂的臂长差对其输出光谱谱线的影响,对于k=0.5的反射式Mach-Zehnder干涉型滤波器比同臂长差的透射式Mach-Zehnder干涉型滤波器的峰值波长间隔周期小1倍。并讨论了相邻透射峰之间波长差与臂长差的关系。
2001(8):788-791.
摘要:本文提出了一种新的WDM光网络功率管理方案,即同时考虑同频串扰和自发辐射噪声的总功率。给出了方案的数学模型,并进行了仿真计算。结果表明,同频串扰对WDM光网络的规模和光信号的质量有着重要的影响。对于使用机械光开关的WDM关网,串扰对系统的影响程度主要取决于解复用器的隔离度。对串扰较小的网络,提高输出EDFA的增益和监测点光功率设定值会提高光信号质量。
2001(8):792-794.
摘要:本文介绍了双光信道旋转连接器的实现方法,提出了实现双信道互连的对称光学系统结构和基于这种光学结构的双光信道旋转连接器。详细分析了这种光学结构的设计原理,并对光路进行了计算和分析,指出了它在中间环节需要旋转耦合连接的仪器设备中的应用前景。
2001(8):795-798.
摘要:本文介绍了四边形电极结构,四边形电极改进结构和带电阻边框的方框形电极结构3种二维位敏器件(PSD)的结构和工作原理,导出了3种结构PSD的输出电流理论表达式和位置线性度网络图。结果表明:四边形电极结构PSD的位置偏差最大,中央60%光敏区域内最大位置误差约10.0%,与实验结果相符;四边形电极改进结构PSD在中央60%光敏区域内最大位置误差约5.0%;带电阻边框的方框形电极结构,当边框电阻很小时,位置信号与输出电流之间满足线性关系,实验测得中央79%光敏区域内的均方根位置误差小于0.3%。
2001(8):799-801.
摘要:本文通过计算、分析在Si光电器件表面由SiO2、Si3N4及AI2O3组成的不同减反膜的反射损耗,得出了最优化的膜层组合。厚度为95nm的SiO2层是最佳的单层减反膜;进一步的优化可采用40nmSi3N4和40nmSiO2或45nm AI2O3和45nm SiO2组成的2层结构;3层或3层以上结构的反射损耗呈振荡性变化,不建议采用。
2001(8):802-805.
摘要:对被动和或自Q激光器的速率方程运用绝热近似方法和Hoff分岔条件进行分析,导出光学参量与脉冲重复频率之间的解析表达式。针对Cr:Nd:YAG调Q激光器的实验数据进行了计算,所得出的理论曲线与实验结果相吻合。
2001(8):806-809.
摘要:本文研究了斜向场下双层磁光薄膜波导中导波光与静磁正向体波之间的相互作用。在静磁波频率为1.9-3.4GHz的范围内,计算了不同磁场倾角下导波光的衍射效率和模式转换效率。结果表明,在相匹配条件下,通过改变磁场倾角、微带线的宽度和孔径,可以使导光的衍射效率得到较大的提高。斜向场下使用YIG材料制成的双层波导与单层波导相比,在增进导波光的衍射效率具有较大的优势和潜力。
2001(8):810-812.
摘要:本文在纵向放电脉冲CO2激光器中采用了纵向多段脉冲预电离技术,在相同的条件下,激光器的工作电压降低了18%,电光转换效率提高了53%。
2001(8):813-815.
摘要:通过对芯片为线性、介质包层为非线性自聚焦Kerr介质的埋入型矩形波导的理论分析和数值计算表明:当模折射等于芯片折射率时,E00^y模芯区的场呈现等振幅的均匀分布四周包层的场则急剧衰减;在模折射率分别小于和大于芯片折射率时,E00^y模芯区场分布分别成为上凸和下凹的曲面。
2001(8):816-820.
摘要:本文采用Lorentz线型近似,研究了多波长泵浦宽带Raman放大器的增益特性,并提出了宽带增益平坦的多波长泵浦方案。研究结果表明,增益平坦程度与泵浦波的频率间隔密切相关。对ITU-T的G.652、G.653及G.655光纤和新型的大有效面积非零色散平坦光纤的Raman放大增益特性研究表明,Raman增益与光纤的种类和光纤传输特性有关,特别是随光纤有效纤芯面积的增大而明显减小。
2001(8):821-824.
摘要:本文以传输矩阵为基础,研究了光纤光栅Fabry-Perot腔的传输特性,导出了反射率、透射率和时延的理论表达式,讨论了腔长以及光栅的参数对其特性的影响。
2001(8):825-826.
摘要:本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器,准连续(500μs,100Hz)输出功率达到80W(室温),峰值波长为939-941nm。
2001(8):827-830.
摘要:本文提出并设计了一种新的基于LiNbO3衬底的非对称马赫-曾德(Mach-Zehnder,M-Z)结构集成光学型电光可调制谐滤波器,并利用耦合模方程和光束传播法(BPM)对单个滤波器的电压响应特性和频率响应特性进行了分析模拟。文中还利用多个滤波器级联实现多个波长的动态滤波和路由,所得各种特性满足全光网(AON)的要求。
2001(8):831-835.
摘要:本文应用耦合模理论分析了长周期光栅的光谱特性。运用传输矩阵法模拟计算并分析了光栅结构,如折射率分布包格、平均折射率变化和啁啾系数的改变对长周期光栅光谱特性的影响,得到光谱响应规律,提供了长周期光纤光栅光谱特性设计的理论分析。
2001(8):836-841.
摘要:提出一种基于液晶光阀非线性和光折变晶体实时动态存储特性的联合变换相关顺。该相关顺能实现输入物的微分、对比度反转等丰富图像的联合变换相关。计算机模拟分析了不同输入场景情况下图像的正像、微分像和对比度反转像联合变换相关的特点。
2001(8):842-844.
摘要:提出了基于Bayer阵列的CCD颜色插值算法。在CCD阵列中,接收G色分量的像素占据总像素的一半,所以其中包含的影像信息对红(R)色、蓝(B)色分量的插值具有参考作用。本文以此为依据,首先利用中值插值算法对G色分量进行插值处理,然后参照G色分量的分布,插值产生R色和B色分量。基于此方法进行实验,结果显示,可以改善普通线性插值算法引起的图像模糊。
2001(8):845-847.
摘要:通过两种方法将有机小分子八羟基喹啉铝(Alq3)嵌入到用阳极腐蚀法制备的多孔硅中。一是浸泡法,将新鲜的多孔硅浸泡于Alq3的氯仿溶液中,通过物理吸附使Alq3嵌入到多孔硅的纳米孔中;二是反应法,先将多孔硅浸泡于硫酸铝的水溶液中,再在其中加入八羟基喹啉的甲醇溶液,使它们在多孔硅的纳米孔中反应产生Alq3。两种方法得到的Alq3的光致发光光谱均较硅片上蒸镀的Alq3的光致发光光谱有所蓝移,半高宽有所减小。反应法比浸泡法得到的光致发光强得多。
2001(8):848-850.
摘要:介绍了新型激光晶体Nd:NaY(WO4)2(Nd:NYW)的生长,测量了Nd:NYW晶体的透过和发射光谱。以Ti宝石激光器作为泵浦源,对晶体的激光特性进行了研究。当耦合输出镜的透过率为3%时,548nW的泵浦功率下获得192mW的1060nm激光输出,斜功率达到37%,阈值为25mW.
2001(8):851-853.
摘要:本文采用溶胶-凝胶技术制备了由π-共轭聚合物对苯撑亚乙烯(PPV)均匀掺杂的块状SiO2玻璃复合材料,并在其中添加了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),从而提高了材料的加工性能。对该材料的形貌和相关的成分分析表明SiO2具有孔状结构,其平均孔径在100nm左右,而PPV分子链在孔内和孔外都有所分布。本文通过傅里叶变换红外光谱、紫外可见吸收光谱和单光子发射光谱等的测量,分析了该材料中光激发与光发射过程中的电子传输机制。
2001(8):854-856.
摘要:本文对碲锌镉(CZT)(111)取向的Raman光谱和PL光谱作了分析。在Raman光谱中,用Stokes测量检测无峰,而反斯托克斯(anti-Stokes)测出了它的Raman光谱,其中在-125cm^-1处是横声子振动(TO)-142cm^-1处是纵声子振动(LO)。由于晶体的各向异性,在一个平面上,同一晶粒旋转不同方向TO/LO比值与(111)平面等能截面图相符。另它的PL光谱在807nm(1.535eV),FWHM为30nm(0.057eV),旋转方向对PL光谱无影响。故在生长HgCdTe单晶薄膜时,要注意衬底CZT的晶体摆放位置。
2001(8):857-859.
摘要:应用多个激光线结构光传感器对无缝钢管进行光切,求出各个光切面中心点的空间三维坐标,由此确定钢管轴线的直线度。本文提出了无缝钢管直线度激光视觉测量方法,推导了数学模型,进行了实验研究,给出了实验结果。
2001(8):860-863.
摘要:本文介绍了脉冲选通二进制调制的光子计数法及其在微脉冲激光测距应用中的系统结构及测距方程表达式,提出了探测误差概率pc与平均信号光电子数<ns>和宽带热背景<nb>之间的关系,最后分析了堆积效应等因素对计数误差(δ)的影响并提出了减小δ的方法措施。
2001(8):864-867.
摘要:本文论述了相位法激光测距的原理和引起误差的原因,提出了电路系统设计方案,着重对频率电路和精神检相电路进行了较为深入的分析与讨论。针对大小角度、零点漂移和信号幅度等原因引起的测量误差,本文提出了具体的解决措施,提高了数字检相电路的测相精度和稳定性,最后给出了测试方法和测试结果。
2001(8):868-871.
摘要:在移相式轮廓测量法(PMP)中,提出了基于快速傅里叶变换(FFT)的相移校正算法。利用计算机仿真技术发现,在移相式轮廓测量法的固定步长出现定值偏差时,在测量结果频域的光栅二倍频处出现峰值。据此提出定值相移误差的频域检测方法,并通过滤波使误差得到抑制。
2001(8):872-874.
摘要:提出了人体外形数据光学非接触测量的新方法。采用栅光源入射测量人体尺寸,CCD摄像机得到有变形的轮廓条纹图像,应用透射投影方程建立数学模型,根据图像推导出条纹的空间三维信息计算条纹的长度。与其他三维物体光学非接触测量方法相比,具有测量速度快、在视场区域内不需要机械扫描便可得到被测人体表面的外形尺寸、图像处理容易、受噪声影响小及计算方法简单。详细讨论了CCD摄像机参数的标定,给出了实验结果,分析了误差产生的原因。
2001(8):875-878.
摘要:应用么正变换和线性组合算符法研究了半无限极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率λ0和自陷能Etr的性质。讨论了电子自旋和磁场对它们的影响。对RbCI晶体给出的数值计算结果表明:λ0随磁场B的增加而增加;当ms=-1/2时,Etr随B的增加而增加;当ms=1/2时,Etr随B的增加而减少;电子自旋能与自陷能之比P随B的增加而增加。